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Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
12
5
9
V GS = 10 V
V GS = 6.5 V
V GS = 6 V
4
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
V GS = 6 V
6
V GS = 5.5 V
V GS = 5 V
3
2
V GS = 6.5 V
3
PULSE DURATION = 80 μ s
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
3
6
9
12
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
500
1.8
I D = 2.7 A
V GS = 10 V
I D = 2.7 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
400
1.6
1.4
300
1.2
1.0
0.8
200
100
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
12
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
10 V GS = 0 V
9
V DS = 5 V
1
T J = 150 o C
6
T J = 150
o C
0.1
T J = 25 o C
T J = 25 o C
3
T J = -55
o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
8
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8601 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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